硅片（晶圆）槽式自动清洗设备（碳化硅的话，需另外咨询规格）
联系我们- 硅片（晶圆）清洗设备介绍：
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- 研磨后清洗：去除研磨磨粒（主要用碱+界面清洗）。
- 碱性蚀刻清洗：以去除研磨后加工变形为目的。
- 前热处理清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。
- 热处理后清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。
- 抛光后清洗设备：基本上是RCA清洗，(DHF/SC-1/SC-2/O3处理)
- 最终清洗：基本上是RCA清洗，(DHF/SC-1/SC-2/O3处理)
设备介绍
| 硅片（8"・12"）槽式自动清洗设备介绍 | |
|---|---|
| 非常广泛的应用业绩，制造数量在4位数，可以给客户提供最佳清洗工艺方案。 | |
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| 处理片数 | 25片・50片两种工艺 |
| 搬运方式 | 盒式类型或无盒式类型 |
| 清洗方法 | 根据洗净槽的工艺决定 |
| 机器人 | 根据工艺流程确定数量。 配备上/下、行走和夹头驱动。 |
| LD＆ULD |
兼容PFA・OPEN・FOSB・FOUP卡槽。 8″晶圆间距为6.35mm。 12″晶圆间距为10mm。 规格根据应用和布局确定。 |
| 间距转换 |
在清洗12″晶圆的情况下，为了减少清洗槽的体积 将晶片间距转换为10mm～7mm或5mm。 |
| 干燥方式 | 从热水干燥、IR干燥和旋转干燥器中进行选择。 |
| 装置整体构造 |
框架・支架 钢架焊接结构，经过耐腐蚀涂层后缠绕。 FFU（清洗单元）安装在上部。 |
| 处理时间 | 1批（25片或者50片）5分（300sec）～6分（360sec）。 |
| 设备规格 | |
| 晶圆尺寸 | φ200mm・φ300mm |
| 晶圆材质 | 硅（碳化硅等化合物半导体需要另外讨论规格参数。） |
| 处理槽及组成 | 根据生产线配置另外讨论规格参数 |
| HEPA或ULPA | 数量由配置决定 |
| 机器人 | 菲科半导体提供：垂直轴（AC伺服驱动）+行走轴（AC伺服驱动）+卡盘机构（气动） |
| 药液 | O₃・HF・NCW・KOH・NH₄OH・H₂O₂・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW |
| 药液温度 | 最高可对应100℃ |
| 药液槽 | 摆锤摆动・旋转・超声波 |
| 冲洗槽 | 鼓泡、QDR、电阻率计安装 |
| LD＆ULD | 离子发生器（可选） |
| 干燥 | 热水提取・红外・旋转干燥・Marangoni |
| 程序单元 | 纯水、氮气（用于空气传感器）、洁净空气、电源、真空（用于传输） |
| 选配设备 | 臭氧发生设备 |
| 工艺性能规格 | |
| 粘附颗粒数 | 10颗/晶圆（大于0.15um）以下，但受用户整体设备影响。 |
| 金属污染 | 非保修项目 |
| 蚀刻均匀度 | 非保修项目 |
| 关于中聚科芯晶圆清洗设备竞争力 | |
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清洗设备的每个单元都是模块化定制，可实现规模化量产，降低客户的整体成本。 工艺流程包括线锯后清洗、研磨后清洗、碱蚀清洗、DSP清洗、最终清洗。 其中线锯后清洗、DSP清洗和最终清洗有长达30年以上制造经验。 一般来说，晶圆清洗（最终清洗），如果φ300mm晶圆表面的颗粒多于10个，则被认为是NG（不良），粒径为0.1μm或更大。 |
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| 特色 | |
| 高工艺性能 | 通过简单的处理槽结构实现最佳工艺。 |
| 高周转性 | 槽与槽之间搬运可实现在最短时间搬运和最短距离的控制系统兼容。 |
| 可维护性 | 考虑可维护性的零件布局。 |
| 设备设计 | 基于丰富实验数据的工艺优化设计。 |
| 丰富业绩经验 | 根据客户的需求提供最合适的定制设备。 |
| 对应工艺 | |
| 线锯后清洗、研磨后清洗、碱性蚀刻清洗、热处理前清洗、热处理后清洗、抛光后清洗和最终清洗。 | |